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东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

时间：2026-07-17 13:31:22 来源：网络整理编辑：百科

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6月30日，东芝电子元件及存储装置株式会社正式宣布，推出采用其最新一代制造工艺 U-MOS11-H打造的 80V N沟道功率MOSFET，型号为 TPM1R408RH。该产品专为 AI数据中心和通信

6月30日，东芝代工东芝电子元件及存储装置株式会社正式宣布，推出推出采用其最新一代制造工艺 U-MOS11-H打造的采用 80V N沟道功率MOSFET，型号为 TPM1R408RH。最新

该产品专为 AI数据中心和 通信基站等工业设备的沟道功率开关电源应用而设计，旨在满足高性能计算与通信基础设施对高效能功率器件的东芝代工需求。目前，推出该产品已即日起开始出货。采用

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