北京时间7月10日晚间，首秀韩国存储芯片巨头SK海力士正式登陆纳斯达克，海力其美国存托凭证（ADR）在盘前交易中表现强劲。士暴SK海力士ADR盘前报价达180美元，涨美较149美元的首秀发行价大涨约21%。此次IPO融资规模高达265亿美元，海力刷新了外国公司赴美上市融资的士暴历史纪录。所募资金将主要用于应对人工智能（AI）旺盛需求带来的涨美资本支出激增。

受SK海力士上市利好提振，首秀美股存储板块全线走高。海力截至北京时间22:00，士暴希捷科技涨超2%，涨美西部数据涨超1%，首秀闪迪由跌转涨，海力美光科技跌幅收窄至1%（此前一度大跌超3%）。士暴

SK海力士美股“首秀”详情

• 交易代码安排：周五盘中以临时代码 SKHYV进行预发行交易，下周一正式切换为常规代码 SKHY。
• 发行定价：发行价定为149美元/ADR，较定价时韩国普通股折算价值溢价约3%。
• 发行规模：共发行约1.779亿份ADR，融资约265亿美元。
• 股权结构：每10份ADR对应1股韩国普通股，初始ADR规模约占公司总股本的2.5%。

为何ADR存在溢价？

华尔街机构分析认为，SK海力士ADR相较于韩股普通股出现溢价，主要基于以下三大逻辑：

1. 流通筹码稀缺：本次发售股份仅占公司总市值不到3%，且韩国普通股转换为ADR存在流程约束，短期内套利供给不足。
2. 资金偏好优势：美国投资者更倾向于美元计价资产，且美股交易时段及ETF、期权等衍生品工具更为丰富，有望吸引新增资金。
3. 指数纳入预期：若存储周期维持强势，且SK海力士ADR被纳入美国指数或ETF，溢价空间可能进一步扩大。

基本面优势：规模、估值与AI绑定

相较于美光科技，SK海力士的核心优势可概括为：规模更大、估值更低、与英伟达绑定更深。

• HBM市场主导地位：HBM（高带宽内存）是AI服务器的关键硬件。据Counterpoint Research数据，2024年第一季度，SK海力士占据HBM市场58%的份额，远超美光和三星（各占21%）。
• 估值折价提供入场机会：FactSet数据显示，SK海力士预期市盈率为5.4倍，低于美光科技的6.7倍。同时，市场预期SK海力士今年的营收和盈利增速将高于美光科技。
• 行业地位认可：Mahoney资产管理公司CEO肯·马奥尼指出，SK海力士在生产规模和技术成熟度上占据明显优势。

后续四大关键催化因素

SK海力士ADR上市后的走势将受以下四个关键节点影响：

1. 期权交易开放：上市后约两个交易日，期权交易可能开放（待交易所确认），丰富交易工具。
2. 杠杆ETF上线：7月13日前后，相关杠杆ETF上线可能提升成交活跃度。
3. 转换机制完善：7月29日新增普通股在韩国上市后，ADR转换机制将更加完整。
4. 指数纳入预期：若9月符合IPO快速纳入条件，SK海力士可能进入半导体相关指数，带来被动资金配置。

未来风险与行业周期警示

尽管AI需求强劲，但存储行业的周期性波动仍是投资者必须面对的风险变量。

短期与中期关注点

• 短期：重点观察ADR相对韩国股价的溢价水平。
• 中期：关注SK海力士能否凭借HBM龙头地位，获得接近美股半导体公司的估值体系。

长期风险：供需反转与定价权削弱

晨星分析师Jing Jie Yu警告称，随着大规模供应在2027年和2028年逐步恢复，存储市场供需关系将极大改善，从而削弱厂商定价权，引发周期性转变。

• 扩产计划：SK海力士此次募资将全部用于龙仁晶圆厂与美国封装基地建设。
• 产能激增：仅龙仁晶圆厂一项，预计将在2027年上半年投产，使SK海力士总产能到2030年比现在提升约60%。
• 行业竞争加剧：Jing Jie Yu指出，龙仁晶圆厂投产，叠加三星、美光及中国厂商未来两年的产能扩张，可能导致整个行业进入周期性低迷期。

Futurum Equities首席市场策略师Shay Boloor表示，SK海力士是“HBM稀缺性持续超预期”的最大受益者，但若内存周期反转，其下行风险不容忽视——这一反转最早可能在2028年出现。

REX Financial董事总经理Bill Birmingham建议，投资者应重点关注2027年的合同定价走势，以此判断需求的持续性。

排版：刘珺宇
校对：许欣