2026年6月22日，内能致逆势最新行业研报揭示，格暴DDR2内存颗粒在第二季度的涨A占产合约价格环比暴涨 55%至60%，市场预测第三季度仍将延续涨势，老旧涨幅预计达 35%至40%。芯片

产能倾斜与供给断裂

随着人工智能应用全面升温，翻红全球存储巨头——三星、内能致逆势SK海力士及美光——正加速调整产能策略。格暴为确保高带宽内存（HBM）及服务器级DRAM的涨A占产优先供应，原厂大幅削减DDR4及更成熟制程产品的老旧晶圆投片量。这一举措直接导致消费级DDR4市场货源紧缺，芯片下游客户难以获得足额交付，翻红被迫向上游寻求替代方案，内能致逆势转而采购DDR3甚至DDR2颗粒。格暴

需求降级传导机制

在供给收缩与价格攀升的涨A占产双重挤压下，整机品牌厂商及ODM/OEM代工厂为控制整体成本，主动调整硬件配置策略：
* 由 DDR4降级至DDR3；
* 或由 DDR3进一步降级至DDR2。

这种“向下兼容”的替代策略，使得缺货压力从高代际产品逐层传导至低代际，最终使DDR2成为本轮涨价周期中涨幅最为显著的品类。

供应格局：华邦电退出 vs 晶豪科逆势扩张

目前，DDR2市场主要由两家厂商主导，但策略截然不同：

1. 华邦电（Winbond）：正有序退出DDR2产线，将产能转向利润更高的DDR3及DDR4/LPDDR4产品。这一战略调整客观上加剧了DDR2市场的供应紧张。
2. 晶豪科（UMC/ChipMOS等，视具体语境指代特定封测或IDM厂商，此处保留原文指代）：选择逆向布局，在现有产能框架内集中资源扩大DDR2生产规模，旨在填补华邦电退出后的市场空白，并借此提升整体收益。

结论

一边是AI产业对先进制程产能的疯狂吞噬，另一边是终端厂商在现实约束下被迫回溯早期技术方案以维持出货。本已淡出主流视野的DDR2内存，因供需错配意外重获市场高度关注，其第三季度价格持续上涨的趋势已成定局。