科学家开发出芯片堆叠新工艺将高带宽存储器集成密度翻两番

时间：2026-07-17 12:52:02 来源：网络整理编辑：探索

核心提示

【核心突破：超薄芯片稳定堆叠，集成密度实现跨越式增长】据财联社7月14日报道，韩国工业技术研究所KIST）与浦项科技大学POSTECH）的研究团队联合开发出一项创新的芯片堆叠新工艺。该技术成功实现了1

【核心突破：超薄芯片稳定堆叠，科学宽存集成密度实现跨越式增长】

据财联社7月14日报道，家开集成韩国工业技术研究所（KIST）与浦项科技大学（POSTECH）的发出翻两番研究团队联合开发出一项创新的芯片堆叠新工艺。该技术成功实现了10余片超薄半导体芯片的芯片新工稳定堆叠，其集成密度达到商用高带宽存储器（HBM）的堆叠约4倍。

这一技术突破有望显著缓解当前人工智能（AI）领域面临的高带存储带宽与容量瓶颈，为高性能计算提供更强有力的储器硬件支持。相关研究成果已正式发表于最新一期《工程成果》（Engineering Results）杂志。密度

科学宽存

科学家开发出芯片堆叠新工艺 将高带宽存储器集成密度翻两番