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中金：SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级

时间：2026-07-17 08:27:53 来源：网络整理编辑：热点

核心提示

中金公司指出，随着AI算力向高密度、连续满载及强瞬态冲击方向演进，高压架构已成为数据中心供电系统发展的确定性趋势。在硬件技术进步的驱动下，2026年被视为数据中心高压架构落地的“元年”。中金认为，Si

中金公司指出，中金中心随着AI算力向高密度、等核代化电力连续满载及强瞬态冲击方向演进，心第续受相关系统高压架构已成为数据中心供电系统发展的合物确定性趋势。在硬件技术进步的半导驱动下，2026年被视为数据中心高压架构落地的体器“元年”。

中金认为，望持SiC（碳化硅）与GaN（氮化镓）等核心第三代化合物半导体器件将持续受益于数据中心电力系统的益于迭代升级，具体市场格局呈现以下特征：

SiC（碳化硅）：有望统领机房侧（灰区）应用；
GaN（氮化镓）：有望在机柜内（白区）实现大规模渗透。数据升级

从“灰区”与“白区”的中金中心分界线来看，市场将形成“SiC左，等核代化电力GaN向右”的心第续受相关系统竞争格局，两者共同推动数据中心电源方案的合物全面迭代。

半导

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