阿斯麦：英特尔实现High NA EUV高数值孔径光刻量产应用

时间：2026-07-18 04:01:55 来源：网络整理编辑：焦点

核心提示

7月15日，阿斯麦ASML）正式宣布，英特尔代工Intel Foundry）已在Intel 18A工艺节点上，成功利用阿斯麦高数值孔径极紫外High NA EUV）光刻技术，实现了部分Intel Co

7月15日，麦英阿斯麦（ASML）正式宣布，实现数值英特尔代工（Intel Foundry）已在Intel 18A工艺节点上，高光刻成功利用阿斯麦高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术，孔径实现了部分Intel Core Ultra Series 3（代号Panther Lake）处理器的量产量产。这一里程碑事件标志着英特尔成为全球首家实现High NA EUV逻辑芯片高产量出货的应用企业。

双方联合声明指出，麦英Intel 18A的实现数值部分工艺层已完成High NA EUV的双重认证，且产品良率已稳定达到现有NXE EUV平台水平。高光刻未来，孔径英特尔与阿斯麦将继续深化合作，量产推动该尖端技术在后续制程节点中的应用广泛应用。

麦英

上一篇：米兰检察院撤案意大利“裁判门”暂告一段落

阿斯麦：英特尔实现High NA EUV高数值孔径光刻量产应用

推荐

热门